[17p-PB3-1~48] ポスター
10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）
10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術
10.3 GMR・TMR・磁気記録技術
10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

▲ [17p-PB3-35] Annealing temperature dependence of properties of magnetic tunnel junction with perpendicular easy axis using MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure

^〇（P）Eli Enobio^1,2，Hideo Sato^2,3，Shunsuke Fukami^2,3，Shoji Ikeda^1,2,3，Fumihiro Matsukura^4,1,2，Hideo Ohno^1,2,3,4 (Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC, Tohoku Univ.¹，CSIS, Tohoku Univ.²，CIES, Tohoku Univ.³，WPI AIMR, Tohoku Univ.⁴)

キーワード：magnetic tunnel junction,tunnel magnetoresistance,perpendicular anisotropy