Annealing temperature dependence of properties of magnetic tunnel junction with perpendicular easy axis using MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure

Eli Enobio

講演情報

一般セッション(ショート付きポスター講演)

10．スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

[17p-S2-35~43] 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

2014年9月17日(水) 14:38 〜 14:56 S2 (S2)

ポスター掲示時間16:00～18:00(PB会場)

14:38 〜 14:40

▲ [17p-S2-35] Annealing temperature dependence of properties of magnetic tunnel junction with perpendicular easy axis using MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure

^〇（P）Eli Enobio^1,2，Hideo Sato^2,3，Shunsuke Fukami^2,3，Shoji Ikeda^1,2,3，Fumihiro Matsukura^4,1,2，Hideo Ohno^1,2,3,4 (Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC, Tohoku Univ.¹，CSIS, Tohoku Univ.²，CIES, Tohoku Univ.³，WPI AIMR, Tohoku Univ.⁴)

キーワード：magnetic tunnel junction,tunnel magnetoresistance,perpendicular anisotropy