[17p-S9-1~17] 3.7 レーザープロセシング

△ [17p-S9-2] Ni/SiC界面へのフェムト秒レーザ照射と低温アニールによるNi拡散の促進

^○森本和樹¹，植木智之²，富田卓朗²，岡田達也² (徳島大院¹，徳島大工²)

キーワード：フェムト秒レーザ,SiC,コンタクト形成