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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.5 Si-English Session

[18a-A15-1~7] 13.5 Si-English Session

2014年9月18日(木) 10:30 〜 12:15 A15 (E306)

11:30 〜 11:45

▲ [18a-A15-5] Epitaxial formation and electrical property of Ni Germanide/Ge contacts

^○Yunsheng DENG¹, Osamu Nakatsuka¹, Shigeaki Zaima¹ (Nagoya Univ.¹)

キーワード：Ni Germanide,Contact