[18a-A20-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[18a-A20-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
Siウェハに直接接合したInGaAsP多重量子井戸薄膜の高温環境耐性

^○藤井拓郎，佐藤具就，武田浩司，長谷部浩一，硴塚孝明，松尾慎治 (NTTフォトニクス研)

キーワード：エピタキシャル成長,直接接合,シリコンフォトニクス