[18a-A20-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[18a-A20-8] グレーデッドバッファ層を導入したInSb HEMT構造の作製と評価

^○竹鶴達哉，前田章臣，辻大介，藤川紗千恵，藤代博記 (東理大院基礎工)

キーワード：InSb,HEMT