09:00 〜 09:15
[18a-A22-1] プラズマ照射により不活性化されたn型GaN中ドナーの再活性化メカニズムの検討
キーワード：GaN,欠陥,plasma
講演情報
一般セッション(口頭講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術
[18a-A22-1~12] 14.3 電子デバイス・プロセス技術
2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:15 A22 (E314)
一般セッション(口頭講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術
2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:15 A22 (E314)
09:00 〜 09:15
キーワード：GaN,欠陥,plasma