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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18a-A22-1~12] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:15 A22 (E314)

11:00 〜 11:15

[18a-A22-8] 酸素プラズマ処理によるAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス改善

^○坂井田佳紀，徳田博邦，葛原正明 (福井大院工)

キーワード：AlGaN/GaN HEMT,酸素プラズマ処理,電流コラプス現象