[18a-A24-1~13] 14.4 光物性・発光デバイス

[18a-A24-6] 各種基板上に成長したEu添加GaNにおけるEu発光中心間の相互エネルギー輸送に対する歪みの効果

^○小泉淳，若松龍太，ドルフ ティマーマン，田中一輝，児島貴徳，藤原康文 (阪大院工)

キーワード：希土類転科半導体,Eu添加GaN