[18a-A26-1~6] 16.1 基礎物性・評価

[18a-A26-1] Ge-Sb-Te系材料におけるAg電極を用いた抵抗スイッチ現象

^○木田士文，宮邉徹，桑原大輔，中岡俊裕 (上智大理工)

キーワード：カルコゲナイド,メモリ,相変化材料