09:00 〜 09:15
△ [18a-A27-1] 電気化学エッチングによるGaN多孔質構造の形成と形状制御の向上
キーワード：GaN,電気化学エッチング,多孔質ナノ構造
講演情報
一般セッション(口頭講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.2 超薄膜・量子ナノ構造
[18a-A27-1~13] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造
2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:30 A27 (N302)
一般セッション(口頭講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.2 超薄膜・量子ナノ構造
2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:30 A27 (N302)
09:00 〜 09:15
キーワード：GaN,電気化学エッチング,多孔質ナノ構造