[18a-C5-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-C5-10] MOCVDによる4インチSi(110)基板上へのGaN成長 ‐薄いAlN/GaN超格子中間層の周期数の影響‐

^○沈旭強，高橋言緒，井手利英，清水三聡 (産総研)

キーワード：GaN