[18a-C5-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-C5-13] m面GaN基板上に成長したAl_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の偏光特性

^○小島一信¹，池田宏隆²，藤戸健史²，秩父重英¹ (東北大多元研¹，三菱化学²)

キーワード：semiconductor