2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-C5-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年9月18日(木) 08:30 〜 12:30 C5 (オープンホール)

09:15 〜 09:30

[18a-C5-4] サファイア基板上MOVPE成長N極性面(000\overline{1})InGaNを用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製

正直花奈子1,崔正焄1,谷川智之1,2,窪谷茂幸1,花田貴1,2,片山竜二1,2,松岡隆志1,2 (東北大金研1,JST, CREST2)

キーワード:InGaN,N極性面,MOVPE