[18a-C5-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-C5-5] MOVPE法を用いたGaN両極性同時成長における極性界面形成メカニズムの検討

^○（M1）久瀬健太，藤田陽平，井上翼，中野貴之 (静大院工)

キーワード：GaN,MOVPE,極性