[18a-C5-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [18a-C5-8] 有機金属気相成長法によるScAlMgO₄(0001)基板上(In)GaNエピタキシャル層の作製と評価

^○（D）尾崎拓也，船戸充，川上養一 (京大院工)

キーワード：MOVPE,InGaN,ScAlMgO4