[18p-A16-1~14] 13.4 デバイス／集積化技術

[18p-A16-14] 高温スパッタリング法におけるMoS₂薄膜化と電気特性

^○大橋匠¹，山口晋平¹，松浦賢太朗¹，須田耕平²，石原聖也²，澤本直美²，角嶋邦之¹，杉井信之¹，西山彰¹，片岡好則¹，名取研二¹，筒井一生¹，岩井洋¹，小椋厚志²，若林整¹ (東工大¹，明治大²)

キーワード：MoS2,二次元材料,薄膜