[18p-A20-1~6] 15.7 エピタキシーの基礎

[18p-A20-2] GaAs MCEにおける表面過飽和度と法線成長速度の関係

^○冨田将史，高倉宏幸，水野陽介，岩川宗樹，山田純平，神林大介，丸山隆浩，成塚重弥 (名城大理工)

キーワード：GaAs,表面過飽和度,MCE