[18p-A22-1~15] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-A22-4] Yゲートプロセスで作製した150nm InAlN/GaN HEMT

^○市川弘之，水江千帆子，眞壁勇夫，舘野泰範，中田健，井上和孝 (住友電工伝送デバイス研)

キーワード：GaN,HEMT,InAlN