2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-A22-1~15] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年9月18日(木) 14:00 〜 18:00 A22 (E314)

15:30 〜 15:45

[18p-A22-7] 成膜後アニールによるALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの閾値シフト低減

○（M2）吉田雄祐，久保俊晴，三好実人，江川孝志 (名工大)

キーワード：GaN,MIS,ALD