16:15 〜 16:30
[18p-A22-9] InAlNスペーサを用いたAlGaN/GaN及びInAlN/GaNヘテロ構造の電気的特性評価
キーワード：GaN HEMT
講演情報
一般セッション(口頭講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術
[18p-A22-1~15] 14.3 電子デバイス・プロセス技術
2014年9月18日(木) 14:00 〜 18:00 A22 (E314)
一般セッション(口頭講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術
2014年9月18日(木) 14:00 〜 18:00 A22 (E314)
16:15 〜 16:30
キーワード：GaN HEMT