[18p-B1-1~22] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

[18p-B1-8] 微細加工Si基板上GOSグラフェンの電荷移動領域観察

^○田島圭一郎¹，井出隆之¹，永村直佳²，堀場弘司³，尾嶋正治³，吹留博一¹，末光眞希¹ (東北大通研¹，東北大多元研²，東大放射光連携研究機構³)

キーワード：グラフェン,エピタキシャル成長,微細加工