[18p-PA7-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-PA7-15] 溶媒置換によるHfO₂導電性ブリッジメモリのスイッチング特性制御

^○（M2）吉原正人¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

キーワード：CB-RAM,インピーダンス,ReRAM