16:00 〜 18:00
[18p-PA7-6] WO3の形成と抵抗変化メモリへの応用
キーワード：抵抗変化メモリ,三酸化タングステン,ReRAM
講演情報
一般セッション(ポスター講演)
06．薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
[18p-PA7-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス
2014年9月18日(木) 16:00 〜 18:00 PA7 (第1体育館)
ポスター掲示時間16:00～18:00(PA7会場)
一般セッション(ポスター講演)
06．薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
2014年9月18日(木) 16:00 〜 18:00 PA7 (第1体育館)
ポスター掲示時間16:00～18:00(PA7会場)
16:00 〜 18:00
キーワード：抵抗変化メモリ,三酸化タングステン,ReRAM