[18p-PA7-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-PA7-9] ポーラスアルミナを絶縁膜に用いた抵抗変化メモリにおける絶縁膜の低抵抗化が電流－電圧特性に及ぼす影響

^○谷本優輔¹，浜田佳典²，大塚慎太郎²，清水智弘²，新宮原正三²，渡辺忠孝¹，高野良紀¹，高瀬浩一¹ (日大理工¹，関大システム理工²)

キーワード：ReRAM,ポーラスアルミナ