13:30 〜 15:30
[18p-PB8-16] GaN化合物及び金属Gaとラジカル窒素を原料に用いたMBE法によるユーロピウム添加GaN薄膜のGaAs(100)基板上への作製
キーワード:GaN
一般セッション(ポスター講演)
14.半導体B(探索的材料・物性・デバイス) » 14.4 光物性・発光デバイス
2014年9月18日(木) 13:30 〜 15:30 PB8 (第2体育館)
ポスター掲示時間13:30~15:30(PB8会場)
13:30 〜 15:30
キーワード:GaN