[19a-A12-1~10] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19a-A12-10] ゾル-ゲル法によるMgO基板上へのNiO薄膜の作製

^○國分義弘，天野優太，阿部隆大，中込真二 (石巻専修大理工)

キーワード：半導体,酸化ニッケル,ワイドバンドギャップ