2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19a-A12-1~10] 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年9月19日(金) 09:00 〜 11:45 A12 (E301)

11:00 〜 11:15

[19a-A12-8] 大気開放下によるSnO薄膜の作製とその物性評価

内田貴之1,川原村敏幸2,藤田静雄1 (京大院工1,高知工大システム工学2)

キーワード:酸化スズ,ミストCVD,酸化物半導体