[19a-A12-1~10] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [19a-A12-8] 大気開放下によるSnO薄膜の作製とその物性評価

^○内田貴之¹，川原村敏幸²，藤田静雄¹ (京大院工¹，高知工大システム工学²)

キーワード：酸化スズ,ミストCVD,酸化物半導体