[19a-A19-1~13] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [19a-A19-9] 量子分子動力学法に基づくシリコン酸化膜のエッチングプロセスにおけるエッチャントの堆積メカニズムの解明

^○（D）伊藤寿¹，桑原卓哉¹，樋口祐次¹，尾澤伸樹¹，寒川誠二²，久保百司¹ (東北大院工¹，東北大流体研²)

キーワード：量子分子動力学,エッチング,シミュレーション