[19a-C5-1~10] 窒化物半導体特異構造の科学〜物性評価と結晶学の構築へ〜

△ [19a-C5-10] Ga-Alフラックスを用いたAlN液相成長法における炭素添加の影響

^○安達正芳¹，関谷竜太¹，杉山正史²，飯田潤二²，福山博之¹ (東北大多元研¹，住友金属鉱山²)

キーワード：窒化サファイア基板