[19a-PB1-1~23] 6.2 カーボン系薄膜

[19a-PB1-19] ポストウェットアニール処理を用いたダイヤモンドMESFETの作製

^○中西一浩¹，南山拓真¹，宮田大輔¹，辻裕司²，徳田規夫^1,3,4，小倉政彦^3,4，山崎聡^3,4，森本章治¹，川江健¹，猪熊孝夫¹ (金沢大院自然¹，金沢大理工²，産総研³，JST, CREST⁴)

キーワード：ダイヤモンド,FET,OH終端