09:30 〜 11:30
[19a-PB4-4] 真空蒸着法によるβ-FeSi2薄膜作製への蒸着材料の影響
キーワード：半導体,シリサイド,FeSi2
講演情報
一般セッション(ポスター講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.1 探索的材料物性
[19a-PB4-1~9] 14.1 探索的材料物性
2014年9月19日(金) 09:30 〜 11:30 PB4 (第2体育館)
ポスター掲示時間9:30～11:30(PB4会場)
一般セッション(ポスター講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.1 探索的材料物性
2014年9月19日(金) 09:30 〜 11:30 PB4 (第2体育館)
ポスター掲示時間9:30～11:30(PB4会場)
09:30 〜 11:30
キーワード：半導体,シリサイド,FeSi2