[19a-S1-1~13] 14.5化合物半導体，15.3III-V族エピタキシャル結晶，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[19a-S1-10] InGaN量子井戸構造太陽電池の作製と評価

^○荒川靖章¹，上野耕平¹，野口英成¹，太田実雄¹，藤岡洋^1,2 (東大生研¹，JST-CREST²)

キーワード：InGaN