[19a-S1-1~13] 14.5化合物半導体，15.3III-V族エピタキシャル結晶，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[19a-S1-11] 歪みInGaN活性層を用いた太陽電池特性のn層ドーピング密度依存性

^○角谷正友^1,2，本田徹³，Liwen Sang¹，中野由崇⁴，長谷川文夫⁴ (物材機構¹，JST-ALCA²，工学院大³，中部大⁴)

キーワード：III-V nitride solar cell