[19a-S1-1~13] 14.5化合物半導体，15.3III-V族エピタキシャル結晶，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[19a-S1-4] 原子層エピタキシーを用いたSiドープGaAsN薄膜における不純物混入過程

^○横山祐貴，原口智宏，山内俊浩，鈴木秀俊，福山敦彦，碇哲雄 (宮崎大工)

キーワード：原子層エピタキシー