[19a-S1-1~13] 14.5化合物半導体，15.3III-V族エピタキシャル結晶，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[19a-S1-6] GaAs:N δドープ超格子による中間バンド構造のエネルギー制御

^○長田一輝¹，鈴木智也¹，八木修平¹，内藤駿弥²，庄司靖²，岡田至崇²，土方泰斗¹，矢口裕之¹ (埼玉大理工¹，東大先端研²)

キーワード：GaAsN,超格子,中間バンド