[19a-S1-1~13] 14.5化合物半導体，15.3III-V族エピタキシャル結晶，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[19a-S1-8] 化学ビームエピタキシー法により成長したGaAsN における N-H 結合の偏向特性の起源

^○（PC）池田和磨，出水孝志郎，小島信晃，大下祥雄，山口真史 (豊田工大)

キーワード：GaAsN,N-H complex,chemical beam epitaxy