[19p-A12-1~16] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19p-A12-16] β-Ga₂O₃ / SiCヘテロ接合に基づく深紫外フォトダイオード

^○中込真二，平塚慧祐，國分義弘 (石巻専修大理工)

キーワード：深紫外,フォトダイオード,酸化ガリウム