13:45 〜 14:00
[19p-A12-2] ビス(2,4-ペンタンジオナト)-銅(II)を用いた常圧MOCVD法によるCu2O薄膜の作製
キーワード：有機金属気相成長,Cu2O,薄膜
講演情報
一般セッション(口頭講演)
合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス » 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス
[19p-A12-1~16] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス
2014年9月19日(金) 13:15 〜 17:45 A12 (E301)