2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19p-A12-1~16] 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年9月19日(金) 13:15 〜 17:45 A12 (E301)

14:30 〜 14:45

[19p-A12-5] ミストCVD法による酸化ガリウムバッファ層を用いたコランダム型In2O3薄膜の作製

○(B)須和祐太,川原村敏幸 (高知工大シス工)

キーワード:ミスト化学気相成長法,酸化インジウム,コランダム構造