[19p-A12-1~16] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19p-A12-5] ミストCVD法による酸化ガリウムバッファ層を用いたコランダム型In₂O₃薄膜の作製

^○（B）須和祐太，川原村敏幸 (高知工大シス工)

キーワード：ミスト化学気相成長法,酸化インジウム,コランダム構造