2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

14.半導体B(探索的材料・物性・デバイス) » 14.4 光物性・発光デバイス

[19p-A26-1~19] 14.4 光物性・発光デバイス

2014年9月19日(金) 13:45 〜 18:45 A26 (E319)

18:30 〜 18:45

[19p-A26-19] 反応性RFスパッタ法によるZn3N2薄膜の形成におけるGa2O3添加の影響

岩田純一,平野祐,佐瀬宏樹,勝俣裕 (明大理工)

キーワード:ZnO,Zn3N2,Ga2O3