Conditions and mechanism for crystal growth of Si-doped AlN powders

講演情報

一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.4 光物性・発光デバイス

2014年9月19日(金) 13:45 〜 18:45 A26 (E319)

14:45 〜 15:00

^〇Yujin Cho^1,2，Benjamin Dierre¹，Takashi Takeda¹，Kohsei Takahashi¹，Naoki Fukata^1,2，Naoto Hirosaki¹，Takashi Sekiguchi^1,2 (NIMS¹，Tsukuba Univ.²)

キーワード：AlN,Si doping,Crystal growth