[19p-A27-1~17] 14.1 探索的材料物性

[19p-A27-1] MBE法によるGe(111)基板上のBaSi₂エピタキシャル膜の作製と評価

^○髙部涼太¹，馬場正和¹，Weijie Du¹，都甲薫¹，原康祐²，宇佐美徳隆^2,3，末益崇^1,3 (筑波大院電物¹，名大²，JST-CREST³)

キーワード：太陽電池,半導体