Fabrication of BaSi<sub>2</sub> films by RF sputtering on a heated glass substrate with pre-deposition Si layer

講演情報

一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.1 探索的材料物性

2014年9月19日(金) 14:00 〜 18:45 A27 (N302)

15:00 〜 15:15

^○Nurul Amal Abdullatiff¹，横山晟也¹，召田雅実²，倉持豪人²，都甲薫¹，末益崇^1,3 (筑波大院電子・物理工学専攻¹，東ソー²，JST-CREST³)

キーワード：silicide,sputtering