2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17.ナノカーボン » 17.1 成長技術

[19p-B3-1~16] 17.1 成長技術

2014年9月19日(金) 13:15 〜 17:30 B3 (ホール)

13:45 〜 14:00

[19p-B3-3] SiC(0001) Si面上第一層目グラフェン成長における[1-100]ステップの役割

影島博之1,2,日比野浩樹2,山口浩司2,永瀬雅夫3 (島根大院総合理工1,NTT物性基礎研2,徳島大工3)

キーワード:グラフェン,SiC