[19p-B3-1~16] 17.1 成長技術

[19p-B3-4] SiCステップ表面上のSi熱脱離グラフェン成長の第一原理シミュレーション

^○小野裕己^1,4，山崎隆浩^2,4，大野隆央^2,3,4 (高度情報¹，物材機構²，東大生研³，高効率電デバ⁴)

キーワード：グラフェン,第一原理計算,分子動力学