[19p-B3-1~16] 17.1 成長技術

[19p-B3-5] CVD 法による SiC 基板へのエピタキシャルグラフェン成長

^○梶原隆司¹，高崎友也¹，木本真一¹，アントン ビキコフスキー¹，小森文夫²，田中悟¹ (九大院工¹，東大物性研²)

キーワード：Graphene,SiC,CVD