[19p-C5-1~12] 窒化物半導体特異構造の科学〜物性評価と結晶学の構築へ〜

[19p-C5-11] 大電流駆動用(-201)β-Ga2O3基板上InGaN系LED

^○飯塚和幸¹，鈴木理紀也¹，小石川結樹¹，脇本大樹¹，梅村沙織¹，後藤健¹，森島嘉克¹，倉又朗人¹，山腰茂伸¹，蘇英陽²，沈豫俊²，劉家呈² (タムラ製作所¹，エピスター²)

キーワード：Ga2O3,LED,GaN