[19p-C5-1~12] 窒化物半導体特異構造の科学〜物性評価と結晶学の構築へ〜

[19p-C5-3] III族原料流量変調エピタキシによるヒルロックフリー窒素極性GaN(000-1)薄膜の成長

^○赤坂哲也，林家弘，山本秀樹 (日本電信電話)

キーワード：窒化物半導体,FME,ヒルロック