[19p-C6-1~16] 3.9 テラヘルツ全般

△ [19p-C6-1] GaAs/AlGaAsを用いたテラヘルツ帯チューナブル検出素子のゲート電圧による出力変調とキャリア緩和過程

^○（M2）平野智之，鈴木大地，小田俊理，河野行雄 (東工大量子ナノエレ研セ)

キーワード：サイクロトロン共鳴,ランダウ準位,キャリア緩和時間